TOPCon技术的核心在于钝化触点以降低金属化区域的复合。理论上，该种技术电池应用一层薄薄的氧化硅，外覆多晶硅，随后进行掺杂。常规量产中在n型电池的背面应用这种结构。沉积技术在TOPCon工艺中发挥着关键作用。早期投入该技术的研究者借鉴半导体行业使用LPCVD方法，使用LPCVD沉积多晶硅。
然而，这种方法存在绕镀问题，需要解决。这不仅会增加所需的工艺步骤和成本，还会导致产能的降低。针对这个问题，光伏行业开始使用改进的卧式LPCVD配置，以将绕镀问题限制在一定程度之内。其他几种沉积技术也同时在不断发展。
如今，几乎所有光伏领域已知的沉积技术，包括 PECVD、PVD和PEALD，都有适用于TOPCon的设备方案。这些设备旨在涵盖电池背面工艺所需的不同方面——隧道氧化制备、多晶硅的沉积和随后的掺杂。更重要的是，它们已经能够处理包括210mm在内的大尺寸硅片。
本报告将从TOPCon的理论知识、工艺环节、电池性能、量产成本、机遇挑战等方面进行全方面探讨，并介绍了中来、晶科、隆基、正泰、东方日升、天合、晶澳、尚德、一道、通威、协鑫、LG、REC、国电投等光伏组件企业的TOPCon产品应用与安装表现，数据较多、值得一看。
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